Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Behavior of high-T_c Ba_1-xK_xBiO_3 in microwave field
Golovashkin A.I.
,
Anshukova N.V.
,
Ivanova L.I.
,
Rusakov A.P.
,
Tskhoverbov A.M.
,
Zherikhina L.N.
Pr. Phys.Inst.
,
N124
, 01.1991 , с. 16 c.
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007
