Российская академия наук    
     
   

Общая информация


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Пр. ФИАН,N7

 

 Включает:

  1.   Головашкин А.И. ,     Шабанова Н.П. ,     Красносвободцев С.И. ,     Антоненко С.В. ,     Ноздрин В.С. ,     Жабрев Г.И. Чувствительность верхнего критического поля к дефектам структуры и электронные характеристики сверхпроводящих соединений NbC, Nb_3Sn,RBa_2Cu_3O_7(R=Y,Ho) , 01.1996




Copyright © БЕН РАН.



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007