Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Заглубленный имплантированный слой в алмазе как источник баллистических фононов при гелиевых температурах
А. А.
Гиппиус
,
Галкина Т.И.
,
Бонч-Осмоловский М.М.
,
Клоков А.Ю.
,
Шарков А.И.
,
Хмельницкий Р.А.
,
Дравин В.А.
Письма в ЖЭТФ
,
Т.64,N4
, 01.1996 , с. С.270-272
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007
