Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Anisotropy and unixial stress effects in submillimetre stimulated emission spectra of hot holes in germanium in strong E H fields
Murzin V.N.
,
Mityagin Y.A.
,
Stoklitsky S.A.
,
Stepanov O.N.
Semiconductor Sci. & Technol.
,
Vol.7,Vol.3B
, 01.1992 , с. P. B641-B644
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007