Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Влияние туннелирования неравновесных носителей заряда на спектры фотолюминесценции в асимметричных структурах с квантовыми ямами
Мурзин В.Н.
,
Карузский А.Л.
,
Квит А.В.
,
Пересторонин А.В.
Кратк. сообщ. по физ.
,
Т9-10
, 01.1994 , с. C.3-9
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007