Мокеров В.Г. ,     Карузский А.Л. ,     Пересторонин А.В. ,     Кульбачинский В.А. ,     Кытин В.Г. ,     Лунин Р.А. ,     Сеничкин А.П. ,     Бугаев А.С. ,     Р.Т.Ф. ван Шайк ,     де Виссер А. Физ. и техн. полупровод. , Т.33,N7 , 01.1999 , с. C.839-846   Copyright © БЕН РАН.