Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Фотолюминесценция при умеренных уровнях возбуждения и резонансное комбинационное рассеяние света в сверхрешетках GaAs/AlGaAs
.
,
Капаев В.В.
,
Алещенко Ю.А.
,
Заварицкая Т.Н.
,
Мельник Н.Н.
Физ. и техн. полупровод.
,
Т.30,N5
, 01.1996 , с. C.812-819
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007