Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Insulator-conductor transition in doped HTS as a consequence of-U-centers generation
Mitsen K.V.
,
Ivanenko O.M.
International Journal of Modern Physics
,
Vol.12
, 01.1998 , с. P.3095-3098
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007