Switching effects and negative capacitance in Si/Ge multiple...


	Общая информация

Поиск атрибутный

Switching effects and negative capacitance in Si/Ge multiple quantum wells

Kopaev Y.V. , Zasavitskii I.I. , Sibeldin N.N. , Kornyakov N.V. , Boltaev A.P. , Loiko N.N. , Rzaev M.M.

Intern. sympos. "Nanostructure: Physics and Technology", St.Peterburg, Russia, June 24-28 , 1996 , с. P.416-419

Copyright © БЕН РАН.

Последние изменения: 26.01.2004

119991 Москва, Ленинский просп., 14 Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)	На главную страницу
	В начало страницы
	© РАН 2007