|
Поиск атрибутный
| |
|
|
|
Берозашвили Ю.Н.
| |
- Келдыш Л.В. , Багаев В.С. , Берозашвили Ю.Н. , Белоусова Т.Я.
Анизотропия поглощения поляризованного света в полупроводниках, возникающая под действием сильного электрического поля.
IX Междунар.конф. по физ. полупроводников. Москва. , с. С.133
- Шотов А.П. , Багаев В.С. , Копыловский Б.Д. , Хвощев А.Н. , Берозашвили Ю.Н. , Иванов В.С.
Электронная аппаратура для исследования рекомбинационного излучения в полупроводниках.
Приборы и техн. эксперим. , N4 , с. C.167-171 , 01.1964
- Шотов А.П. , Вул Б.М. , Багаев В.С. , Берозашвили Ю.Н. , Заварицкая Э.И.
О механизме рекомбинационного излучения арсенида галлия.
Физ. тверд. тела , Т.6,N4 , с. C.1235-1238 , 01.1964
- Вул Б.М. , Багаев В.С. , Берозашвили Ю.Н. , Алямовский В.Н.
О поляризации излучения диодов из арсенида галлия.
Физ.тверд.тела 1 , Т.8,N4 , с. C.1091-1096 , 01.1966
- Келдыш Л.В. , Багаев В.С. , Берозашвили Ю.Н.
Об электрооптическом эффекте в GaAs.
Письма в ЖЭТФ , Т.4,N9 , с. C.364-368 , 01.1966
- Багаев В.С. , Копыловский Б.Д. , Берозашвили Ю.Н. , Иванов В.С. , Королев Ю.Н.
Некоторые тепловые эффекты в полупроводниковых квантовых генераторах из GaAs.
Приборы и техн. эксперим. , N4 , с. C.185-189 , 01.1966
- Вул Б.М. , Багаев В.С. , Берозашвили Ю.Н.
Наблюдение электрических "доменов" в высокоомном GaAs при помощи электрооптического эффекта.
Письма в ЖЭТФ , Т.6,N1 , с. C.464-467 , 01.1967
- Багаев В.С. , Копыловский Б.Д. , Берозашвили Ю.Н. , Гоголин О.В.
Использование высокоомных кристаллов GaAs для модуляции света.
Физ. и техн. полупровод. , Т.1,N8 , с. C.1202-1206 , 01.1967
- Багаев В.С. , Берозашвили Ю.Н.
Исследование условий модуляции света с "ламбда" =10,6мк при помощи электрооптического эффекта на кристаллах GaAs.
Физ. и техн. полупровод. , Т.1,N10 , с. C.1568-1570 , 01.1967
- Вул Б.М. , Багаев В.С. , Берозашвили Ю.Н.
Подвижные электрические домены в полуизолирующем арсениде галлия.
Физ. и техн. полупровод. , Т.2,N6 , с. C.843-849 , 01.1968
|
|
