Российская академия наук    
     
   

Общая информация
Общие сведения
Историческая справка
Направления деятельности
Прочая информация
Проекты
Публикации


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Курбатов В.А.

    Страницы:   1   2   3 


  1.   Сибельдин Н.Н. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М. ,     Заварицкая Т.Н. ,     Мельник Н.Н. ,     Погосов А.О.
    Особенности формирования квантовых ям при низкотемпературной эпитаксии германия на кремнии. "Нанофотоника". Материалы совещания. Нижний Новгород, 2002 , с. С.173-175

  2.   Пенин Н.А. ,     Сибельдин Н.Н. ,     Курбатов В.А. ,     Болтаев А.П. ,     Бурбаев Т.М. ,     Рзаев М.М.
    Эффекты накопления заряда и отрицательная емкость в гетероструктурах на основе кремния. Всероссийскаое совещание "Наноструктуры на основе кремния и германия". Н.Новгород, 1998 , с. С.180-183

  3.   Пенин Н.А. ,     Галкина Т.И. ,     Курбатов В.А.
    Об излучательном захвате электронов нейтральным ионом Zn- в германии. Письма в ЖЭТФ , Т.5,N9 , с. C.325 , 01.1967

  4.   Пенин Н.А. ,     Галкина Т.И. ,     Курбатов В.А.
    Примесное рекомбинационное излучение германия, легированного цинком и сурьмой. Физ. и техн. полупровод. , Т.1,N11 , с. C.1659-1663 , 01.1967

  5.   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А.
    Свойства фотосопротивления из германия, легированного цинком и сурьмой, в геродинном режиме детектирования. Физ. и техн. полупровод. , Т.6,N5 , с. C.903-908 , 01.1972

  6.   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Болтаев А.П. ,     Соловьев Н.Н.
    Измерение слабой модуляции излучения с помощью фотосопротивления. Физ. и техн. полупровод. , Т.6,N7 , с. C.1391-1394 , 01.1972

  7.   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Болтаев А.П. ,     Соловьев Н.Н.
    Высокочастотная модуляция 10-микронного излучения с помощью эффекта нагревания носителей электрическим полем в германии р-типа. Физ. и техн. полупровод. , Т.7,N10 , с. C.1896-1900 , 01.1973

  8.   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М.
    Обнаружительная способность фотоприемника из германия, легированного цинком и сурьмой при температурах жидкого азота. Физ. и техн. полупровод. , Т.9,N2 , с. C.292-296 , 01.1975

  9.   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А.
    Модуляционный метод измерения гетеродинных характеристик фотоприемников. Квант. электрон. , Т.3,N9 , с. C.1909-1913 , 01.1976

  10.   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Караваев С.М. ,     Бритов А.Д. ,     Максимовский С.Н. ,     Ревокатова И.П. ,     Аверьянов И.С. ,     Пырегов Б.П. ,     Мызина В.А.
    Перестраиваемый гетеролазер на Pb{1-y}Sn{y}Se-PbSe. Квант. электрон. , Т.3,N11 , с. C.2513-2515 , 01.1976



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007