|
Поиск атрибутный
| |
|
|
|
Турьянский А.Г.
| - Пенин Н.А. , Максимовский С.Н. , Нолле Э.Л. , Лойко Н.Н. , Петров А.Э. , Турьянский А.Г.
Зависимость концентрации углерода на поверхности эпитаксиальных пленок GaAs от величины разориентации подложки относительно кристаллографической плоскости.
Физ. тверд. тела , Т.24,N9 , с. C.2595-2598 , 01.1982
- . , Сибельдин Н.Н. , Болтаев А.П. , Корняков Н.В. , Лойко Н.Н. , Турьянский А.Г. , Рзаев М.М.
Эффекты накопления носителей заряда и отрицательная дифференциальная проводимость в системе квантовых ям.
Всерос. научно-техн. конф. "Микро- и наноэлектроника-98", Звенигород, 26-30 апреля 1999 , Т.1 , с. С.2-6 , 01.1999
|
|