|
Поиск атрибутный
|  |
|
|
 |
Кучеренко И.В.
|
- Шотов А.П. , Кучеренко И.В. , Свистов А.Е.
Исследование формы поверхности Ферми по угловой зависимости эффекта Шубникова-де Гааза в кристаллах Pb_1-xSn_xSe(x>0.3).
Физ. и техн. полупровод. , Т.15,N11 , с. C.2111-2115 , 01.1981
- Шотов А.П. , Кучеренко И.В. , Свистов А.Е.
Энергетические уровни нестехиометрических дефектов в n-Pb_1-xSn_xSe(0<=x<=0.37).
Физ. и техн. полупровод. , Т.16,N6 , с. C.1108-1111 , 01.1982
- Шотов А.П. , Кучеренко И.В. , Чижевский Е.Г. , Свистов А.Е. , Панкратов О.А.
Резонансные состояния вблизи дна зоны проводимости в нелегированных кристаллах Pb_1-xSn_xSe(x=0.2-0.33).
Физ. и техн. полупровод. , Т.18,N9 , с. C.1583-1587 , 01.1984
- Шотов А.П. , Кучеренко И.В. , Свистов А.Е. , Панкратов О.А. , Ицкевич Е.С. , Каширская Л.М.
Инверсия коэффициента Холла и термоэдс под давлением в узкощелевых полупроводниках свинец-олово-селен.
Письма в ЖЭТФ , Т.43,N6 , с. C.303-306 , 01.1986
- Кучеренко И.В. , Головашкин А.И. , Печень Е.В. , Красносвободцев С.И.
Эффект Холла и термоэдс в монокристаллических пленках YBa_2Cu_3O_7-x и HoBa_2Cu_3O_7-x.
Письма в ЖЭТФ , Т.48,N1 , с. C.27-29 , 01.1988
- . , Гришечкина С.П. , Кучеренко И.В. , Капаев В.В. , Воронова И.Д. , Алещенко Ю.А. , Кадушкин В.И. , Фомичев С.И.
Индуцированный магнитным полем фотогальванический эффект в асимметричной системе квантовых ям.
Письма в ЖЭТФ , Т.58,N5 , с. C.377-380 , 01.1993
- . , Кучеренко И.В. , Капаев В.В. , Горбацевич А.А. , Омельяновский О.Е. , Цебро В.И.
Асимметричное по полю поперечное магнетосопротивление в немагнитной среде.
Письма в ЖЭТФ , Т.68,N5 , с. C.380-385 , 01.1998
- Кучеренко И.В. , Виноградов В.С.
Сегнетоэлектрические свойства кристаллов Pb_1-xSn_xTe(x=0.25), легированных индием.
Физ. тверд. тела , Т.33,N9 , с. C.2572-2578 , 01.1991
- . , Кучеренко И.В. , Капаев В.В. , Горбацевич А.А. , Омельяновский О.Е. , Цебро В.И.
Магнитосопротивление асимметричной квантово-размерной структуры в параллельном магнитном поле: не зависящая от направления тока асимметрия по полю.
ЖЭТФ , Т.120,N4(10) , с. C.954-969 , 01.2001
|
|