|
Поиск атрибутный
| |
|
|
|
Засавицкий И.И.
|
- Соболев Н.Н. , Шотов А.П. , Засавицкий И.И. , Очкин В.Н. , Савинов С.Ю. , Спиридонов М.В. , Керимкулов М.А. , Исламов Р.Ш. , Конев Ю.Б.
Кинетика формирования распределений молекул СО_2 по колебательно-вращательным уровням в активной среде волноводного СО_2 лазера.
Пр. ФИАН , N218 , с. 35 c. c илл. , 01.1989
- Шотов А.П. , Засавицкий И.И. , Косичкин Ю.В. , Надеждинский А.И. , Степанов Е.В.
Измерение параметров частотных флуктуаций диодного импульсно-периодического лазера.
Квант. электрон. , Т.12,N2 , с. C.385-386 , 01.1985
- Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Зломанов В.П. , Флусов Г.В. , Трофимов В.Т. , Кашкур И.П.
Гетероструктура для инжекционных лазеров на основе Pb_1-xSn_xSe.
Ж. техн. физ. , Т.51,N5 , с. C.943-948 , 01.1981
- Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Флусов Г.В. , Старик П.М.
Фотолюминесценция кристаллов Pb_1-x_Sn_xTe(x "приблизительно" 0,2) при небольшом ("приблизительно" 10~18 см~-3) уровне легирования индием.
Физ. и техн. полупровод. , Т.15,N11 , с. C.2275-2277 , 01.1981
- Шотов А.П. , Засавицкий И.И. , Косичкин Ю.В. , Надеждинский А.И. , Крюков П.В. , Перов А.Н. , Степанов Е.В. , Рааб З.
Диодный лазер среднего ИК диапазона с внешним резонатором.
Квант. электрон. , Т.10,N2 , с. C.445-447 , 01.1983
- Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Матвеенко А.В. , Трофимов В.Т.
Отрицательная фотопроводимость в Pb_1-xSn_x_Te:In.
Письма в ЖЭТФ , Т.37,N10 , с. P.456-459 , 01.1983
- Засавицкий И.И. , Косичкин Ю.В. , Надеждинский А.И. , Поляков Ю.А. , Широков А.М. , Мазур Ю.И.
Влияние гидростатического давления на спектры примесной фотопроводимости в теллуре.
Физ. и техн. полупровод. , Т.17,N1 , с. C.69-72 , 01.1983
- Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Матвеенко А.В. , Трофимов В.Т.
Кинетика фотопроводимости в Pb_1-xSn_xTe:In.
Физ. и техн. полупровод. , Т.17,N12 , с. P.2184-2189 , 01.1983
- Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Троицкий В.Ф. , Трофимов В.Т. , Изворян А.А.
Криостат с регулируемой температурой для магнитооптических измерений.
Приборы и техн. эксперим. , N4 , с. C.199-201 , 01.1984
- Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Курганский А.В. , Валейко М.В. , Кузнецов В.Л.
Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердого раствора PbSe_1-xTe_x (0<= x <=1).
Физ. и техн. полупровод. , Vol.19,N4 , с. C.627-631 , 01.1985
|
|