Страницы:   1   2   3   4   5    Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Гирич Б.Г. ,     Николаев М.И. ,     Пелевин О.В. ,     Бочкарев Э.П. Лазерные гетероструктуры на основе Pb_1-xSn_xTe для области спектра 6-20 мкм. I-71035 II Всесоюз. конф. по физ. процессам в полупроводниковых гетероструктурах. 8-20 окт. 1978. Тез. докл. , Ч.1 , с. C.124 , 01.1978   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Даварашвили О.И. ,     Гегиадзе Г.Г. ,     Чиковани Р.И. ,     Криалашвили И.В. Исследование четверных твердых растворов Pb_1-xSn_xTe_ySe_1-y и создание на их основе гетеролазеров с согласованными решетками на гетерогранице. I-71035 II Всесоюз. конф. по физ. процессам в полупроводниковых гетероструктурах. 8-20 окт. 1978. Тез. докл. , Т.I. , с. C.110 , 01.1978   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. Обнаружение примесных состояний в спектрах фотолюминесценции твердого раствора Pb_1-xSn_xTe(x*0,2). Письма в ЖЭТФ , Т.32,N2 , с. C.156-160 , 01.1980   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Гирич Б.Г. ,     Пелевин О.В. ,     Гейман К.И. ,     Матвеенко А.В. ,     Абрютина Т.П. ,     Николаева М.И. Влияние примесей на фотолюминесценцию эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe(х*О,2). Физ. и техн. полупровод. , Т.15,N5 , с. C.949-956 , 01.1981   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. Зависимость продольной и поперечной компонент g-фактора носителей тока от ширины запрещенной зоны твердых растворов Pb_1-xSn_xTe(0<=x<"примерно"3) и Pb_1-x_Sn_x_Se(0<=x<"примерно"0.08). Физ. и техн. полупровод. , Т.15,N11 , с. C.2269-2272 , 01.1981   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Курганский А.В. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердого раствора PbS_1-xSe_x(0 Физ. и техн. полупровод. , Т.19,N12 , с. C.2149-2153 , 01.1985   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Курганский А.В. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава полупроводниковых твердых растворов типа А~IVВ~VI. Пр. ФИАН , N346 , с. 24 c. c ил. , 01.1985   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Зломанов В.П. ,     Флусов Г.В. ,     Трофимов В.Т. ,     Кашкур И.П. Гетероструктура для инжекционных лазеров на основе Pb_1-xSn_xSe. Ж. техн. физ. , Т.51,N5 , с. C.943-948 , 01.1981   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Флусов Г.В. ,     Старик П.М. Фотолюминесценция кристаллов Pb_1-x_Sn_xTe(x "приблизительно" 0,2) при небольшом ("приблизительно" 10~18 см~-3) уровне легирования индием. Физ. и техн. полупровод. , Т.15,N11 , с. C.2275-2277 , 01.1981   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Трофимов В.Т. Отрицательная фотопроводимость в Pb_1-xSn_x_Te:In. Письма в ЖЭТФ , Т.37,N10 , с. P.456-459 , 01.1983