Страницы:   1   2   3   4   5    Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Трофимов В.Т. Параметры глубокого центра в ненапряженных и напряженных эпитаксиальных слоях Pb_1-xSn_xTe:In(0<=x<=0,25). Пр.ФИАН , N259 , с. 31 c. , 01.1988   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Трофимов В.Т. Зависимость от состава параметров глубокого центра в эпитаксиальных слоях Pb_1-xSn_xTe:In. Физ. и техн. полупровод. , Т.23,N11 , с. C.2019-2026 , 01.1989   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Ширков А.В. ,     Валейко М.В. ,     Рухадзе З.А. Квантоворазмерный и деформационный эффекты в структурах на основе PbSe/Pb_1-xEu_xSe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Физ. и техн. полупровод. , Т.24,N8 , с. C.1437-1443 , 01.1990   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гейман К.И. ,     Матвеенко А.В. ,     Валейко М.В. Деформационные потенциалы PbTe. Физ. тверд. тела , Т.33,N4 , с. C.1086-1093 , 01.1991