Российская академия наук    
     
   

Общая информация
Общие сведения
Историческая справка
Направления деятельности
Прочая информация
Проекты
Публикации


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Мацонашвили Б.Н.

    Страницы:   1   2   3   4   5 


  1.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Трофимов В.Т.
    Кинетика фотопроводимости в Pb_1-xSn_xTe:In. Физ. и техн. полупровод. , Т.17,N12 , с. P.2184-2189 , 01.1983

  2.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Троицкий В.Ф. ,     Трофимов В.Т. ,     Изворян А.А.
    Криостат с регулируемой температурой для магнитооптических измерений. Приборы и техн. эксперим. , N4 , с. C.199-201 , 01.1984

  3.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Курганский А.В. ,     Валейко М.В. ,     Кузнецов В.Л.
    Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердого раствора PbSe_1-xTe_x (0<= x <=1). Физ. и техн. полупровод. , Vol.19,N4 , с. C.627-631 , 01.1985

  4.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Трофимов В.Т. ,     Панкратов О.А.
    Двухэлектронный захват и параметры ян-теллеровского центра в Pb_1-xSn_xTe:In. Письма в ЖЭТФ , Т.42,N1 , с. P.3-6 , 01.1985

  5.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Валейко М.В.
    Фотолюминесценция квантово-размерных эпитаксиальных слоев и структур на основе Pb_1-xSn_xTe. Письма в ЖЭТФ , Т.43,N3 , с. C.140-142 , 01.1986

  6.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Трофимов В.Т.
    Спектр фотопроводимости эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe:In. Физ. и техн. полупровод. , Т.20,N2 , с. C.214-220 , 01.1986

  7.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Трофимов В.Т.
    Кинетика фотопроводимости нелегированных и легированных индием эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe. Пр.ФИАН , N194 , с. C.1-23 , 01.1983

  8.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Валейко М.В. ,     Саксеев Д.А.
    Фотолюминесценция квантово-размерных напряженных эпитаксиальных слоев и структур на основе Pb_1-xSn_xTe. Физ. и техн. полупровод. , Т.21,N1 , с. С.57-62 , 01.1987

  9.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Трофимов В.Т.
    Бесфоновый спектр поглощения Pb_1-xSn_xTe:In и зависимость фотопроводимости эпитаксиальных слоев от толщины. Физ. и техн. полупровод. , Т.21,N10 , с. C.1789-1795 , 01.1987

  10.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Сазонов А.В. ,     Ковальчик Л..
    Фотолюминесценция полумагнитных полупроводников типа A~4B~6. Физ. и техн. полупровод. , Т.22,N12 , с. C.2118-2123 , 01.1988



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007