|
Поиск атрибутный
| |
|
|
|
Мацонашвили Б.Н.
|
- Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Матвеенко А.В. , Трофимов В.Т.
Кинетика фотопроводимости в Pb_1-xSn_xTe:In.
Физ. и техн. полупровод. , Т.17,N12 , с. P.2184-2189 , 01.1983
- Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Троицкий В.Ф. , Трофимов В.Т. , Изворян А.А.
Криостат с регулируемой температурой для магнитооптических измерений.
Приборы и техн. эксперим. , N4 , с. C.199-201 , 01.1984
- Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Курганский А.В. , Валейко М.В. , Кузнецов В.Л.
Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердого раствора PbSe_1-xTe_x (0<= x <=1).
Физ. и техн. полупровод. , Vol.19,N4 , с. C.627-631 , 01.1985
- Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Трофимов В.Т. , Панкратов О.А.
Двухэлектронный захват и параметры ян-теллеровского центра в Pb_1-xSn_xTe:In.
Письма в ЖЭТФ , Т.42,N1 , с. P.3-6 , 01.1985
- Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Матвеенко А.В. , Валейко М.В.
Фотолюминесценция квантово-размерных эпитаксиальных слоев и структур на основе Pb_1-xSn_xTe.
Письма в ЖЭТФ , Т.43,N3 , с. C.140-142 , 01.1986
- Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Матвеенко А.В. , Трофимов В.Т.
Спектр фотопроводимости эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe:In.
Физ. и техн. полупровод. , Т.20,N2 , с. C.214-220 , 01.1986
- Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Матвеенко А.В. , Трофимов В.Т.
Кинетика фотопроводимости нелегированных и легированных индием эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe.
Пр.ФИАН , N194 , с. C.1-23 , 01.1983
- Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Матвеенко А.В. , Валейко М.В. , Саксеев Д.А.
Фотолюминесценция квантово-размерных напряженных эпитаксиальных слоев и структур на основе Pb_1-xSn_xTe.
Физ. и техн. полупровод. , Т.21,N1 , с. С.57-62 , 01.1987
- Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Матвеенко А.В. , Трофимов В.Т.
Бесфоновый спектр поглощения Pb_1-xSn_xTe:In и зависимость фотопроводимости эпитаксиальных слоев от толщины.
Физ. и техн. полупровод. , Т.21,N10 , с. C.1789-1795 , 01.1987
- Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Сазонов А.В. , Ковальчик Л..
Фотолюминесценция полумагнитных полупроводников типа A~4B~6.
Физ. и техн. полупровод. , Т.22,N12 , с. C.2118-2123 , 01.1988
|
|