Страницы:   1   2   3    . ,     Капаев В.В. ,     Горбацевич А.А. Управляемая эволюция электронных состояний в наноструктурах. ЖЭТФ , Т.107,N4 , с. C.1320-1349 , 01.1995   . ,     Капаев В.В. ,     Горбацевич А.А. Бездиссипативная динамика электронов в наноструктурах. Успехи физ. наук , Т.165,N2 , с. C.224-227 , 01.1995   . ,     Капаев В.В. ,     Токатлы И.В. Зависимость от импульса размерности электронных состояний в гетероструктарах. Успехи физ. наук , Т.167,N5 , с. C.562-566 , 01.1997   . ,     Капаев В.В. ,     Горбацевич А.А. ,     Кремлев В.Я. Квантовые приборы на основе передислокации волновой функции в гетероструктурах. Микроэлектроника , Т.23,N5 , с. C.17-26 , 01.1994   . ,     Капаев В.В. ,     Горбацевич А.А. ,     Кремлев В.Я. Квантовые приборы на основе эффекта передислокации волновой функции. Электрон. промышленность , N4-5 , с. C.28-31 , 01.1995   . ,     Капаев В.В. ,     Алещенко Ю.А. ,     Мельник Н.Н. Обусловленный флуктуациями параметров эквидистантный спектр локализованных состояний в квантово-размерных структурах. Письма в ЖЭТФ , Т.63,N4 , с. C.260-265 , 01.1996   . ,     Капаев В.В. ,     Алещенко Ю.А. ,     Заварицкая Т.Н. ,     Мельник Н.Н. Фотолюминесценция при умеренных уровнях возбуждения и резонансное комбинационное рассеяние света в сверхрешетках GaAs/AlGaAs. Физ. и техн. полупровод. , Т.30,N5 , с. C.812-819 , 01.1996   . ,     Капаев В.В. Зависимость от импульса размерности электронных состояний в гетероструктурах. Письма в ЖЭТФ , Т.65,N2 , с. C.188-193 , 01.1997   . ,     Елесин В.Ф. ,     Капаев В.В. ,     Цуканов А.В. Когерентный лазер на двухямной структуре с подавленной межподзонной релаксацией. Письма в ЖЭТФ , Т.66,N11 , с. C.709-713 , 01.1997   . ,     Капаев В.В. ,     Алещенко Ю.А. ,     Казаков И.П. Трансформация размерности экситонных состояний в квантовых ямах с несимметричными барьерами в электрическом поле. Письма в ЖЭТФ , Т.67,N3 , с. C.207-211 , 01.1998