Российская академия наук    
     
   

Общая информация
Общие сведения
Историческая справка
Направления деятельности
Прочая информация
Проекты
Публикации


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Бабушкин А.В.

  1.   Шотов А.П. ,     Даварашвили О.И. ,     Бабушкин А.В.
    Фотопроводность полупроводниковых слоев Pb_1-xSn_xSe и Pb_1-xSn_xTe, легированных йодом. Кратк. сообщ. по физ. , N4 , с. С.17-20 , 01.1976

  2.   Шотов А.П. ,     Даварашвили О.И. ,     Бабушкин А.В.
    Лазерные гетероструктуры на основе твердых растворов Pb_1-xSn_xSe_1-yTe_y. Письма в ЖТФ , Т.5,N24 , с. C.1488-1492 , 01.1979

  3.   Шотов А.П. ,     Даварашвили О.И. ,     Бабушкин А.В.
    Гетеролазеры с двухсторонним ограничением на основе твердых растворов Pb_1-xSn_xSe_1-yTe_y. Письма в ЖТФ , Т.7,N23 , с. C.1444-1447 , 01.1981

  4.   Шотов А.П. ,     Бабушкин А.В.
    Аномально большой фототок в магнитном поле в двумерных многослойных структурах. Кратк. сообщ. по физ. , N1-2 , с. C.67-73 , 01.1995



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007