Российская академия наук    
     
   

Общая информация
Общие сведения
Историческая справка
Направления деятельности
Прочая информация
Проекты
Публикации


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Сахоненко Т.С.

  1.   Багаев В.С. ,     Падучих Л.И. ,     Сахоненко Т.С.
    Люминесценция нелегированного GaAs при высоких уровнях фотовозбуждения. Экситоны в полупроводниках / Под ред. Б.М.Вула , с. С.54-67



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007