Российская академия наук    
     
   

Общая информация
Общие сведения
Историческая справка
Направления деятельности
Прочая информация
Проекты
Публикации


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Гладков П.С.

  1.   Пенин Н.А. ,     Журкин Б.Г. ,     Гинодман В.Б. ,     Гладков П.С.
    Зависимость сверхтонкого расщепления от одноосного сжатия в спектре ЭПР фосфора в сильнолегированном кремнии n-типа. Физ. и техн. полупровод. , Т.4(2) , с. C.325-328 , 01.1970

  2.   Пенин Н.А. ,     Журкин Б.Г. ,     Гинодман В.Б. ,     Гладков П.С. ,     Михалевич В.Г.
    ЭПР фосфора в компенсированном n-Si при одноосном сжатии. Физ. и техн. полупровод. , Т.4,N9 , с. C.1736-1739 , 01.1970

  3.   Пенин Н.А. ,     Журкин Б.Г. ,     Гинодман В.Б. ,     Гладков П.С. ,     Михалевич В.Г. ,     Шипуло Г.П.
    Цикотронный резонанс в чистом германии при большой оптической накачке. Кратк. сообщ. по физ. , Vol.12,N1 , с. C.17-23 , 01.1971

  4.   Пенин Н.А. ,     Журкин Б.Г. ,     Гинодман В.Б. ,     Гладков П.С.
    Фотоэлектрический эффект в компенсированном кремнии р-типа. Физ. и техн. полупровод. , Т.5,N11 , с. C.2219-2221 , 01.1971

  5.   Пенин Н.А. ,     Фрадков А.Б. ,     Журкин Б.Г. ,     Гинодман В.Б. ,     Гладков П.С.
    Прибор для исследования фотодиэлектрического эффекта в полупроводниках. Приборы и техн. эксперим. , N1 , с. C.201-202 , 01.1972

  6.   Пенин Н.А. ,     Журкин Б.Г. ,     Гладков П.С.
    Высокочастотная фотопроводимость и рекомбинационное излучение чистого германия при высокой интенсивности оптического возбуждения при низких температурах. Физ. и техн. полупровод. , Т.6,N10 , с. C.1919-1923 , 01.1972



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007