Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Болтаев А.П. ,     Соловьев Н.Н. Измерение слабой модуляции излучения с помощью фотосопротивления. Физ. и техн. полупровод. , Т.6,N7 , с. C.1391-1394 , 01.1972   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Болтаев А.П. ,     Соловьев Н.Н. Высокочастотная модуляция 10-микронного излучения с помощью эффекта нагревания носителей электрическим полем в германии р-типа. Физ. и техн. полупровод. , Т.7,N10 , с. C.1896-1900 , 01.1973   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Соловьев Н.Н. Примесный фотоэффект в p-n переходе из германия. Физ. и техн. полупровод. , Т.12,N9 , с. C.1856-1858 , 01.1978   Пенин Н.А. ,     Соловьев Н.Н. ,     Галкин М.Г. Спектр возбужденных состояний однократно заряженного иона цинка в германии. Физ. и техн. полупровод. , Т.17,N4 , с. C.740-742 , 01.1983   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Соловьев Н.Н. Определение степени компенсации в примесном полупроводнике по измерениям оптического поглощения. Физ. и техн. полупровод. , Т.18,N2 , с. C.285-288 , 01.1984   Пенин Н.А. ,     Соловьев Н.Н. ,     Галкин М.Г. Влияние электрон-фононного взаимодействия на ширину линии спектра возбужденных состояний иона Zn[-] в германии. Физ. и техн. полупровод. , Т.19,N3 , с. C.512-516 , 01.1985   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Соловьев Н.Н. Температурная зависимость амплитудно-частотных характеристик фотопроводимости в полупроводнике с двухуровневой примесью (Ge:Hg). Физ. и техн. полупровод. , Т.19,N6 , с. C.1008-1011 , 01.1985   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Соловьев Н.Н. ,     Галкин М.Г. Резонансная структура в непрерывной полосе фотоионизации иона Zn[-] в германии. Кратк. сообщ. по физ. , N3 , с. C.23-24 , 01.1988