|
Поиск атрибутный
| |
|
|
|
Лойко Н.Н.
| - Сибельдин Н.Н. , Болтаев А.П. , Лойко Н.Н. , Рзаев М.М.
Энергетические уровни в одиночной квантовой яме в сильном электрическом поле.
Нанофотоника. Материалы совещания, 20-23 марта 2000, г.Нижний Новгород , с. С.52-55
- Виноградов В.С. , Сибельдин Н.Н. , Болтаев А.П. , Пудонин С.А. , Лойко Н.Н. , Рзаев М.М.
Влияние электрического поля на положение уровней энергии в потенциальной яме.
4-ая Рос. конф. по физ. полупроводников. Новосибирск. Академгородок. , с. С.192
- Сибельдин Н.Н. , Болтаев А.П. , Лойко Н.Н. , Рзаев М.М.
Отрицательная емкость в Si/Ge структурах с квантовыми ямами.
Нанофотоника. Мат-лы совещ., Нижний Новгород, 15-18 марта 1999 г. , с. С.262-264
- Виноградов В.С. , Болтаев А.П. , Лойко Н.Н. , Казаков И.П. , Цехош В.И. , Рзаев М.М.
Измерение подвижносити носителей заряда в квантовых ямах.
III Всерос. конф. по физ. полупроводников. Полупроводники '97. Тез. , с. С.AI-3
- Пенин Н.А. , Максимовский С.Н. , Нолле Э.Л. , Лойко Н.Н. , Петров А.Э. , Турьянский А.Г.
Зависимость концентрации углерода на поверхности эпитаксиальных пленок GaAs от величины разориентации подложки относительно кристаллографической плоскости.
Физ. тверд. тела , Т.24,N9 , с. C.2595-2598 , 01.1982
- . , Сибельдин Н.Н. , Болтаев А.П. , Корняков Н.В. , Лойко Н.Н. , Турьянский А.Г. , Рзаев М.М.
Эффекты накопления носителей заряда и отрицательная дифференциальная проводимость в системе квантовых ям.
Всерос. научно-техн. конф. "Микро- и наноэлектроника-98", Звенигород, 26-30 апреля 1999 , Т.1 , с. С.2-6 , 01.1999
- Сибельдин Н.Н. , Болтаев А.П. , Лойко Н.Н. , Рзаев М.М.
Энергетические уровни в одиночной квантовой яме в сильном электрическом поле.
Известия Академии наук. Сер.физическая , Т.65,N2 , с. C.211-213 , 01.2001
|
|