Пенин Н.А. ,     Максимовский С.Н. ,     Нолле Э.Л. ,     Лойко Н.Н. ,     Петров А.Э. ,     Турьянский А.Г. Зависимость концентрации углерода на поверхности эпитаксиальных пленок GaAs от величины разориентации подложки относительно кристаллографической плоскости. Физ. тверд. тела , Т.24,N9 , с. C.2595-2598 , 01.1982   . ,     Сибельдин Н.Н. ,     Болтаев А.П. ,     Корняков Н.В. ,     Лойко Н.Н. ,     Турьянский А.Г. ,     Рзаев М.М. Эффекты накопления носителей заряда и отрицательная дифференциальная проводимость в системе квантовых ям. Всерос. научно-техн. конф. "Микро- и наноэлектроника-98", Звенигород, 26-30 апреля 1999 , Т.1 , с. С.2-6 , 01.1999