. ,     Гришечкина С.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Капаев В.В. ,     Воронова И.Д. ,     Алещенко Ю.А. ,     Кадушкин В.И. ,     Фомичев С.И. Индуцированный магнитным полем фотогальванический эффект в асимметричной системе квантовых ям. Письма в ЖЭТФ , Т.58,N5 , с. C.377-380 , 01.1993   . ,     Капаев В.В. ,     Алещенко Ю.А. ,     Заварицкая Т.Н. ,     Мельник Н.Н. Резонансное комбинационное рассеяние света и эффекты передислокации в сверхрешетках GaAs/AlGaAs. Письма в ЖЭТФ , Т.59,N4 , с. C.235-239 , 01.1994   Мурзин В.Н. ,     Митягин Ю.А. ,     Карузский А.Л. ,     Алещенко Ю.А. ,     Мельник Н.Н. ,     Квит А.В. ,     Пересторонин А.В. Влияние туннелирования неравновесных носителей заряда на спектры фотолюминесценции полупроводниковых структур из асимметричных квантовых ям. Микроэлектроника , Т.25,N1 , с. C.13-19 , 01.1996   . ,     Капаев В.В. ,     Алещенко Ю.А. ,     Мельник Н.Н. Обусловленный флуктуациями параметров эквидистантный спектр локализованных состояний в квантово-размерных структурах. Письма в ЖЭТФ , Т.63,N4 , с. C.260-265 , 01.1996   . ,     Капаев В.В. ,     Алещенко Ю.А. ,     Заварицкая Т.Н. ,     Мельник Н.Н. Фотолюминесценция при умеренных уровнях возбуждения и резонансное комбинационное рассеяние света в сверхрешетках GaAs/AlGaAs. Физ. и техн. полупровод. , Т.30,N5 , с. C.812-819 , 01.1996   . ,     Капаев В.В. ,     Алещенко Ю.А. ,     Казаков И.П. Трансформация размерности экситонных состояний в квантовых ямах с несимметричными барьерами в электрическом поле. Письма в ЖЭТФ , Т.67,N3 , с. C.207-211 , 01.1998   . ,     Капаев В.В. ,     Корняков Н.В. ,     Алещенко Ю.А. ,     Казаков И.П. ,     Тюрин А.Е. Интерференционная ионизация примеси электрическим полем в системе квантовых ям. Письма в ЖЭТФ , Т.69,N3 , с. C.194-199 , 01.1999