Российская академия наук    
     
   

Общая информация
Общие сведения
Историческая справка
Направления деятельности
Прочая информация
Проекты
Публикации


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Ноздрин В.С.

  1.   Головашкин А.И. ,     Шабанова Н.П. ,     Красносвободцев С.И. ,     Антоненко С.В. ,     Ноздрин В.С. ,     Жабрев Г.И.
    Чувствительность верхнего критического поля к дефектам структуры и электронные характеристики сверхпроводящих соединений NbC, Nb_3Sn,RBa_2Cu_3O_7(R=Y,Ho). Пр. ФИАН , N7 , с. 32 c. , 01.1996

  2.   Головашкин А.И. ,     Шабанова Н.П. ,     Красносвободцев С.И. ,     Ноздрин В.С.
    Верхнее критическое магнитное поле и электронные характеристики сверхпроводящих соединений NbC,Nb_3Sn,RBa_2Cu_3O_7(R=Y,Ho). Физ. тверд. тела , Т.38,N7 , с. C.1969-1985 , 01.1996

  3.   Головашкин А.И. ,     Печень Е.В. ,     Шабанова Н.П. ,     Красносвободцев С.И. ,     Ноздрин В.С.
    Определение плотности электронных состояний RBaCuO и NdCeCuO из данных для критического поля H_c2. Кратк. сообщ. по физ. , N1-2 , с. C.20-27 , 01.1997

  4.   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М. ,     Калюжная Г.А. ,     Ноздрин В.С.
    Экранирование переменного магнитного поля пленками и монокристаллами высокотемпературных сверхпроводников. Физ. тверд. тела , Т.39,N2 , с. C.228-230 , 01.1997

  5.   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М. ,     Красносвободцев С.И. ,     Ноздрин В.С. ,     Малакшинов Н.П.
    Использование эффекта экранирования магнитного поля пленками ВТСП для коммутации СВЧ-сигналов. Письма в ЖТФ , Т.24,N13 , с. C.76-81 , 01.1998

  6.   Мицен К.В. ,     Иваненко О.М. ,     Красносвободцев С.И. ,     Братухин П.В. ,     Ноздрин В.С.
    Эпитаксиальные пленки Nd_1.85Ce_0.15CuO_4: особенности синтеза и сверхпроводящие свойства. Письма в ЖТФ , Т.22,N24 , с. C.1-6 , 01.1996



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007