Российская академия наук    
     
   

Общая информация
Общие сведения
Историческая справка
Направления деятельности
Прочая информация
Проекты
Публикации


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Квит А.В.

  1.   Карузский А.Л. ,     Квит А.В. ,     Медведев С.А. ,     Клевков Ю.В. ,     Пересторонин А.В. ,     Свербиль П.П.
    Исследование глубоких примесных центров в ZNTe методом оптической спектроскопии вторичного излучения при Т=4.2К. Межд. конф."Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах, г.Ульяновск, 1999 , с. С.56

  2.   Мурзин В.Н. ,     Карузский А.Л. ,     Квит А.В. ,     Пересторонин А.В.
    Влияние туннелирования неравновесных носителей заряда на спектры фотолюминесценции в асимметричных структурах с квантовыми ямами. Кратк. сообщ. по физ. , Т9-10 , с. C.3-9 , 01.1994

  3.   Мурзин В.Н. ,     Митягин Ю.А. ,     Карузский А.Л. ,     Алещенко Ю.А. ,     Мельник Н.Н. ,     Квит А.В. ,     Пересторонин А.В.
    Влияние туннелирования неравновесных носителей заряда на спектры фотолюминесценции полупроводниковых структур из асимметричных квантовых ям. Микроэлектроника , Т.25,N1 , с. C.13-19 , 01.1996

  4.   Багаев В.С. ,     Зайцев В.В. ,     Онищенко Е.Е. ,     Квит А.В. ,     Медведев С.А. ,     Клевков Ю.В. ,     Цикунов А.В. ,     Пересторонин А.В. ,     Клоков А.В. ,     Якимов М.Я.
    Оптическая спектроскопия глубоких состояний в ZnTe. Физ. тверд. тела , Т.40,N6 , с. C.1010-1017 , 01.1998

  5.   Багаев В.С. ,     Плотников А.Ф. ,     Квит А.В. ,     Медведев С.А. ,     Клевков Ю.В. ,     Пересторонин А.В.
    Динамика измерения спектров фотолюминесценции образцов CdTe стехиометрического состава в зависимости от чистоты исходных компонентов. Физ. и техн. полупровод. , Т.34,N1 , с. C.19-22 , 01.2000

  6.   Багаев В.С. ,     Плотников А.Ф. ,     Квит А.В. ,     Медведев С.А. ,     Клевков Ю.В. ,     Пересторонин А.В.
    Динамика изменения спектров фотолюминесценции образцов стехиометрического состава в зависимости от чистоты исходных компонентов. Физ. и техн. полупровод. , Т.34,N1 , с. С.19-22 , 01.2000



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007