Карузский А.Л. ,     Квит А.В. ,     Медведев С.А. ,     Клевков Ю.В. ,     Пересторонин А.В. ,     Свербиль П.П. Исследование глубоких примесных центров в ZNTe методом оптической спектроскопии вторичного излучения при Т=4.2К. Межд. конф."Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах, г.Ульяновск, 1999 , с. С.56   Мурзин В.Н. ,     Карузский А.Л. ,     Квит А.В. ,     Пересторонин А.В. Влияние туннелирования неравновесных носителей заряда на спектры фотолюминесценции в асимметричных структурах с квантовыми ямами. Кратк. сообщ. по физ. , Т9-10 , с. C.3-9 , 01.1994   Мурзин В.Н. ,     Митягин Ю.А. ,     Карузский А.Л. ,     Алещенко Ю.А. ,     Мельник Н.Н. ,     Квит А.В. ,     Пересторонин А.В. Влияние туннелирования неравновесных носителей заряда на спектры фотолюминесценции полупроводниковых структур из асимметричных квантовых ям. Микроэлектроника , Т.25,N1 , с. C.13-19 , 01.1996   Багаев В.С. ,     Зайцев В.В. ,     Онищенко Е.Е. ,     Квит А.В. ,     Медведев С.А. ,     Клевков Ю.В. ,     Цикунов А.В. ,     Пересторонин А.В. ,     Клоков А.В. ,     Якимов М.Я. Оптическая спектроскопия глубоких состояний в ZnTe. Физ. тверд. тела , Т.40,N6 , с. C.1010-1017 , 01.1998   Багаев В.С. ,     Плотников А.Ф. ,     Квит А.В. ,     Медведев С.А. ,     Клевков Ю.В. ,     Пересторонин А.В. Динамика измерения спектров фотолюминесценции образцов CdTe стехиометрического состава в зависимости от чистоты исходных компонентов. Физ. и техн. полупровод. , Т.34,N1 , с. C.19-22 , 01.2000   Багаев В.С. ,     Плотников А.Ф. ,     Квит А.В. ,     Медведев С.А. ,     Клевков Ю.В. ,     Пересторонин А.В. Динамика изменения спектров фотолюминесценции образцов стехиометрического состава в зависимости от чистоты исходных компонентов. Физ. и техн. полупровод. , Т.34,N1 , с. С.19-22 , 01.2000