Российская академия наук    
     
   

Общая информация
Общие сведения
Историческая справка
Направления деятельности
Прочая информация
Проекты
Публикации


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Персона без имени

  1.   Murzin V.N. ,     Mityagin Y.A. ,     Stoklitsky S.A. ,     Perestoronin A.V. ,     Rasulova G.K.
    Sequential resonant tunneling with high-field domain formation. Intern. sympos."Nanostructures: Physics and Technology" Abstr. St.Peterburg , с. P.285-286

  2.   Murzin V.N. ,     Mityagin Y.A. ,     Stoklitsky S.A.
    Anisotropy effect in submillimetre stimulated emission in hot hole plasma in germanium in strong E I H fields. 10-th General conf. of condensed matter. Lisabon, Portugal 1990 , Vol.14A , с. P.35 , 01.1990

  3.   Murzin V.N. ,     Mityagin Y.A. ,     Stoklitsky S.A.
    Quantum effects in hot hole submillimeter lasers. Opt.and Quant. Electron. , Vol.23 , с. P.287-306 , 01.1991

  4.   Murzin V.N. ,     Mityagin Y.A. ,     Stoklitsky S.A. ,     Chebotarev A.P.
    Widerange tunable submillimeter cyclotron resonance laser. Opt.and Quant. Electron. , Vol.23 , с. P.307-311 , 01.1991

  5.   Murzin V.N. ,     Mityagin Y.A. ,     Stoklitsky S.A. ,     Stepanov O.N.
    Anisotropy and unixial stress effects in submillimetre stimulated emission spectra of hot holes in germanium in strong E H fields. Semiconductor Sci. & Technol. , Vol.7,Vol.3B , с. P. B641-B644 , 01.1992

  6.   Murzin V.N. ,     Mityagin Y.A. ,     Stoklitsky S.A. ,     Stepanov O.N.
    Cyclotron resonance submillimeter laser emission in hot hole Landau level system in uniaxially stressed p-germanium. Physica Scripta , Vol.49,N6 , с. P.699-703 , 01.1994

  7.   Stoklitsky S.A. ,     Zhao Q.X. ,     Holtz P.O. ,     Monemar B.. ,     Lundstrom T..
    Optical intervalence - subband transitions in strained p-type In_1-xGa_xAs/InP quantum wells. J.Appl.Phys. , Vol.77,N7 , с. P.5256-5262 , 01.1995

  8.   Stoklitsky S.A. ,     Zhao Q.X. ,     Holtz P.O. ,     Monemar B.. ,     Lundstrom T..
    Strain effects on the intervalence-subband normal incidence absorption in a p-type InGaAs/InP quantum well. Appl.Phys.Lett , Vol.65,N13 , с. P.1706-1708 , 01.1994



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007