Страницы:   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10    Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М. ,     Асланов Г.А. Сечение захвата дырок ионами Hg[-] в германии. Физ. и техн. полупровод. , Т.18,N2 , с. C.319-323 , 01.1984   Пенин Н.А. ,     Соловьев Н.Н. ,     Галкин М.Г. Влияние электрон-фононного взаимодействия на ширину линии спектра возбужденных состояний иона Zn[-] в германии. Физ. и техн. полупровод. , Т.19,N3 , с. C.512-516 , 01.1985   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Соловьев Н.Н. Температурная зависимость амплитудно-частотных характеристик фотопроводимости в полупроводнике с двухуровневой примесью (Ge:Hg). Физ. и техн. полупровод. , Т.19,N6 , с. C.1008-1011 , 01.1985   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М. ,     Асланов Г.А. Кинетика фотопроводимости германия, легированного цинком, при малых временах фотоответа. Физ. и техн. полупровод. , Т.19,N10 , с. C.1736-1740 , 01.1985   Пенин Н.А. О распределении примесных атомов в барьере Шоттки или в барьере р[+]-n перехода в случае линейной зависимости барьерной емкости от напряжения. Кратк. сообщ. по физ. , N9 , с. C.23-25 , 01.1986   Пенин Н.А. Исправления к статье "О длине экоанирования в примесном полупроводнике. Физ. и техн. полупровод. , Т.20,N2 , с. C.385 , 01.1986   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Соловьев Н.Н. ,     Галкин М.Г. Резонансная структура в непрерывной полосе фотоионизации иона Zn[-] в германии. Кратк. сообщ. по физ. , N3 , с. C.23-24 , 01.1988   Пенин Н.А. Умножение фотовозбужденных носителей заряда при ударной ионизации примесных атомов в полупроводниках. Физ. и техн. полупровод. , Т.23,N3 , с. C.466-470 , 01.1989   Пенин Н.А. ,     Гуро Г.М. ,     Головашкин А.И. Инерция электронов в сверхпроводящем кольце при неравномерном вращении. Физ. тверд. тела , Т.38,N5 , с. C.1493-1499 , 01.1996   Пенин Н.А. Оптическая и тепловая стимуляция примесной фотопроводимости при оптическом возбуждении примесных атомов в полупроводниках. Физ. и техн. полупровод. , Т.25,N11 , с. 1941-1945 , 01.1991