Страницы:   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10    Пенин Н.А. ,     Галкина Т.И. ,     Михайлова Г.Н. ,     Миляев В.А. Излучение электронно-дырочных капель в германии при температуре 0.5 К. Письма в ЖЭТФ , Т.18,N2 , с. C.99-102 , 01.1973   Пенин Н.А. ,     Галкина Т.И. ,     Алексеев А.С. Поляризация низкотемпературной фотолюминесценции германия, индуцированная деформацией. Письма в ЖЭТФ , Т.19,N7 , с. C.436-439 , 01.1974   Пенин Н.А. ,     Журкин Б.Г. ,     Сибельдин Н.Н. ,     Новиков В.И. Резонатор для исследования ЭПР в полупроводниках при одноосном сжатии. Приборы и техн. эксперим. , N2 , с. C.166 , 01.1970   Пенин Н.А. ,     Журкин Б.Г. ,     Гинодман В.Б. ,     Гладков П.С. Зависимость сверхтонкого расщепления от одноосного сжатия в спектре ЭПР фосфора в сильнолегированном кремнии n-типа. Физ. и техн. полупровод. , Т.4(2) , с. C.325-328 , 01.1970   Пенин Н.А. ,     Журкин Б.Г. ,     Гинодман В.Б. ,     Гладков П.С. ,     Михалевич В.Г. ЭПР фосфора в компенсированном n-Si при одноосном сжатии. Физ. и техн. полупровод. , Т.4,N9 , с. C.1736-1739 , 01.1970   Пенин Н.А. ,     Журкин Б.Г. ,     Гинодман В.Б. ,     Гладков П.С. ,     Михалевич В.Г. ,     Шипуло Г.П. Цикотронный резонанс в чистом германии при большой оптической накачке. Кратк. сообщ. по физ. , Vol.12,N1 , с. C.17-23 , 01.1971   Пенин Н.А. ,     Журкин Б.Г. ,     Гинодман В.Б. ,     Гладков П.С. Фотоэлектрический эффект в компенсированном кремнии р-типа. Физ. и техн. полупровод. , Т.5,N11 , с. C.2219-2221 , 01.1971   Пенин Н.А. ,     Фрадков А.Б. ,     Журкин Б.Г. ,     Гинодман В.Б. ,     Гладков П.С. Прибор для исследования фотодиэлектрического эффекта в полупроводниках. Приборы и техн. эксперим. , N1 , с. C.201-202 , 01.1972   Пенин Н.А. ,     Хайкин Н.Ш. ,     Юрист Б.В. К исследованию шум-фактора оптического гетеродинного приемника с примесным фотосопротивлением. Радиотехн. и электрон. , Т.17,N5 , с. C.1018-1023 , 01.1972   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. Свойства фотосопротивления из германия, легированного цинком и сурьмой, в геродинном режиме детектирования. Физ. и техн. полупровод. , Т.6,N5 , с. C.903-908 , 01.1972