Страницы:   1   2   3   4   5   6   7   8    Багаев В.С. ,     Падучих Л.И. ,     Хакимов Р.Г. Кинетика фотолюминесценции GeS. III Республиканский коллоквиум по модуляционной спектроскопии полупроводников и диэлектриков Тр. , с. С.169-174   Багаев В.С. ,     Падучих Л.И. ,     Астемиров Т.А. Кинетика фотолюминесценции экситонов и электронно-дырочных капель в Ge. Модуляционная спектроскопия полупроводников и диэлектриков. 2 Республиканский коллоквиум, Сухуми: Тезисы , с. С.45-51   Келдыш Л.В. ,     Багаев В.С. ,     Сибельдин Н.Н. ,     Цветков В.А. Увлечение экситонов и ЭДК фононным ветром. Модуляционная спектроскопия полупроводников и диэлектриков. 2 Республиканский коллоквиум, Сухуми: Тезисы , с. 52-57   Пенин Н.А. ,     Багаев В.С. ,     Галкина Т.И. ,     Гоголин О.В. ,     Алексеев А.С. ,     Семенов А.Н. ,     Стопачинский В.Б. Излучение свободных и взаимодействующих экситонов в сильных магнитных полях. Физические исследования в сильных магнитных полях , с. C.109-115   Багаев В.С. ,     Падучих Л.И. ,     Стопачинский В.Б. Применение модуляционных методов к изучению ударной ионизации примесных центров и экситонов в GaAs. Модуляционная спектроскопия полупроводников. Труды I коллоквиума , с. С.46-51   Багаев В.С. ,     Галкина Т.И. ,     Гоголин О.В. Коллективные свойства экситонов в Ge. Экситоны в полупроводниках / Под ред. Б.М.Вула , с. С.19-31   Багаев В.С. ,     Падучих Л.И. ,     Плотников А.Ф. Исследование взаимодействия экситонов при больших плотностях в Si. Экситоны в полупроводниках / Под ред. Б.М.Вула , с. С.50-53   Багаев В.С. ,     Падучих Л.И. ,     Сахоненко Т.С. Люминесценция нелегированного GaAs при высоких уровнях фотовозбуждения. Экситоны в полупроводниках / Под ред. Б.М.Вула , с. С.54-67   Багаев В.С. ,     Копыловский Б.Д. ,     Иванов В.С. ,     Славов А.В. Калориметрический измеритель мощности полупроводниковых квантовых генераторов. Электроника в физическом эксперименте , с. С.94-96   Багаев В.С. ,     Копыловский Б.Д. ,     Гоголин О.В. ,     Артемьев Н.Л. ,     Ефимов Ю.А. Инфракрасный телевизионный микроскоп для исследования рекомбинационного излучения и оптических свойств полупроводников / Отв. ред. Д.В.Скобельцын. Электроника в физическом эксперименте , с. С.97-100