Страницы:   1   2    Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. Особенности излучательной рекомбинации в чистых кристаллах InSb при низких температурах. Физ. и техн. полупровод. , Т.7,N4 , с. C.707-710 , 01.1973   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. ,     Жоховец С.В. О сегнетоэлектрической природе фазового перехода в Pb1-хGexTe. Кратк. сообщ. по физ. , N6 , с. C.34-39 , 01.1977   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. ,     Копыловский Б.Д. ,     Жоховец С.В. Влияние сегнетоэлектрического фазового перехода на электрические характеристики p-n переходов в Pb_1-xGe_xTe. Физ. и техн. полупровод. , Т.12,N6 , с. C.1132-1137 , 01.1978   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. ,     Жоховец С.В. Влияние фазового перехода на ширину запрещенной зоны в Pb_1-xGe_xTe. Кратк. сообщ. по физ. , N9 , с. С.36-41 , 01.1978   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. ,     Жоховец С.В. Сегнетоэлектрические константы твердых растворов свинец-германий-теллур. Кратк. сообщ. по физ. , N10 , с. C.47-51 , 01.1978   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. ,     Жоховец С.В. Сегнетоэлектрические константы узкощелевых полупроводников типа А~IV В~VI. Физ. тверд. тела , Т.22,N8 , с. C.2516-2518 , 01.1980   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. ,     Максимов М.Х. Изменение подвижности свободных носителей в PbGeTe n-типа при сегнетоэлектрическом фазовом переходе. Кратк. сообщ. по физ. , N4 , с. C.45-50 , 01.1983   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. ,     Максимов М.Х. ,     Селиванов Ю.Г. Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных слоев n-Pb_1-xGe_xTe при структурном фазовом переходе сегнетоэлектрического типа. Пр. ФИАН , N157 , с. 27 с. с ил. , 01.1983   . ,     Гришечкина С.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Капаев В.В. ,     Воронова И.Д. ,     Алещенко Ю.А. ,     Кадушкин В.И. ,     Фомичев С.И. Индуцированный магнитным полем фотогальванический эффект в асимметричной системе квантовых ям. Письма в ЖЭТФ , Т.58,N5 , с. C.377-380 , 01.1993