Страницы:   1   2    Багаев В.С. ,     Копыловский Б.Д. ,     Иванов В.С. ,     Славов А.В. Калориметрический измеритель мощности полупроводниковых квантовых генераторов. Электроника в физическом эксперименте , с. С.94-96   Багаев В.С. ,     Копыловский Б.Д. ,     Гоголин О.В. ,     Артемьев Н.Л. ,     Ефимов Ю.А. Инфракрасный телевизионный микроскоп для исследования рекомбинационного излучения и оптических свойств полупроводников / Отв. ред. Д.В.Скобельцын. Электроника в физическом эксперименте , с. С.97-100   Шотов А.П. ,     Багаев В.С. ,     Копыловский Б.Д. ,     Хвощев А.Н. ,     Берозашвили Ю.Н. ,     Иванов В.С. Электронная аппаратура для исследования рекомбинационного излучения в полупроводниках. Приборы и техн. эксперим. , N4 , с. C.167-171 , 01.1964   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. ,     Копыловский Б.Д. ,     Муминов Р.А. Спонтанное и когерентное излучение электронно-дырочной плазмы антимонида индия. Физ. тверд. тела , Т.8,N4 , с. C.1083-1087 , 01.1966   Фабелинский И.Л. ,     Маш Д.И. ,     Копыловский Б.Д. ,     Арефьев И.М. Применение гетеродинирования света, рассеянного жидкими растворами, для определения коэффициентов диффузии. Письма в ЖЭТФ , Т.5,N12 , с. C.438-442 , 01.1967 О. Н. Крохин ,     Шотов А.П. ,     Вул Б.М. ,     Багаев В.С. ,     Басов Н.Г. ,     Копыловский Б.Д. ,     Маркин Е.П. ,     Попов Ю.М. ,     Хвощев А.Н. Полупроводниковый квантовый генератор на p-n-переходе в GaAs. Докл. АН СССР , Т.150,N2 , с. C.275-278 , 01.1963   Багаев В.С. ,     Копыловский Б.Д. ,     Берозашвили Ю.Н. ,     Иванов В.С. ,     Королев Ю.Н. Некоторые тепловые эффекты в полупроводниковых квантовых генераторах из GaAs. Приборы и техн. эксперим. , N4 , с. C.185-189 , 01.1966   Багаев В.С. ,     Копыловский Б.Д. ,     Берозашвили Ю.Н. ,     Гоголин О.В. Использование высокоомных кристаллов GaAs для модуляции света. Физ. и техн. полупровод. , Т.1,N8 , с. C.1202-1206 , 01.1967   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. ,     Копыловский Б.Д. ,     Жоховец С.В. Влияние сегнетоэлектрического фазового перехода на электрические характеристики p-n переходов в Pb_1-xGe_xTe. Физ. и техн. полупровод. , Т.12,N6 , с. C.1132-1137 , 01.1978   Пенин Н.А. ,     Галкина Т.И. ,     Копыловский Б.Д. ,     Алексеев А.С. Излучательный захват электронов нейтральными атомами ртути. Физ. тверд. тела , N7 , с. C.2145-2146 , 01.1970