Страницы:   1   2   3    Мурзин В.Н. ,     Митягин Ю.А. ,     Карузский А.Л. ,     Алещенко Ю.А. ,     Мельник Н.Н. ,     Квит А.В. ,     Пересторонин А.В. Влияние туннелирования неравновесных носителей заряда на спектры фотолюминесценции полупроводниковых структур из асимметричных квантовых ям. Микроэлектроника , Т.25,N1 , с. C.13-19 , 01.1996   Мурзин В.Н. ,     Журкин Б.Г. ,     Митягин Ю.А. ,     Карузский А.Л. ,     Мельник Н.Н. ,     Цикунов А.В. ,     Пересторонин А.В. ,     Богонин И.А. ,     Волчков Н.А. ,     Орликовский А.А. ,     Свербиль П.П. ,     Ткаченко С.Д. Исследование алмазоподобных покрытий, полученных методом лазерного импульсного распыления графита в высоком вакууме. Микроэлектроника , Т.25,N3 , с. C.203-210 , 01.1996   Мурзин В.Н. ,     Ефимов Ю.А. ,     Митягин Ю.А. ,     Расулова Г.К. Эффект резонансного туннелирования по возбужденным подзонам. Письма в ЖЭТФ , Т.65,N11 , с. С.818-822 , 01.1997   Мурзин В.Н. ,     Митягин Ю.А. Резонансное туннелирование, электрические и оптические явления в длиннопериодных полупроводниковых сверхрешетках. Успехи физ. наук , Т.169,N4 , с. C.464-468 , 01.1999   Мурзин В.Н. ,     Митягин Ю.А. ,     Стоклицкий С.А. ,     Монемар Б.. ,     Хольц П.О. Оптические межподзонные переходы в напряженных квантовых ямах на основе твердых растворов In{1-x}Ga{x}As/InP. Физ. и техн. полупровод. , Т.33,N1 , с. C.83-90 , 01.1999   Мурзин В.Н. ,     Чуенков В.А. ,     Митягин Ю.А. О проблеме инвертированных распределений и лазерной генерации на межподзонных переходах в резонансно-тунелльных структурах с широкими квантовыми ямами. Известия Академии наук. Сер.физическая , Т.64,N2 , с. C.235-241 , 01.2000