Страницы:   1   2    Головашкин А.И. ,     Шабанова Н.П. Прямое определение плотности электронных состояний N*(E ) из критического поля Н_c2 и удельного сопротивления для Nb_3Sn. Пр. ФИАН , N39 , с. 20 c. , 01.1991   Головашкин А.И. ,     Шабанова Н.П. ,     Красносвободцев С.И. ,     Антоненко С.В. ,     Ноздрин В.С. ,     Жабрев Г.И. Чувствительность верхнего критического поля к дефектам структуры и электронные характеристики сверхпроводящих соединений NbC, Nb_3Sn,RBa_2Cu_3O_7(R=Y,Ho). Пр. ФИАН , N7 , с. 32 c. , 01.1996   Головашкин А.И. ,     Шабанова Н.П. ,     Красносвободцев С.И. ,     Ноздрин В.С. Верхнее критическое магнитное поле и электронные характеристики сверхпроводящих соединений NbC,Nb_3Sn,RBa_2Cu_3O_7(R=Y,Ho). Физ. тверд. тела , Т.38,N7 , с. C.1969-1985 , 01.1996   Головашкин А.И. ,     Печень Е.В. ,     Шабанова Н.П. ,     Красносвободцев С.И. ,     Ноздрин В.С. Определение плотности электронных состояний RBaCuO и NdCeCuO из данных для критического поля H_c2. Кратк. сообщ. по физ. , N1-2 , с. C.20-27 , 01.1997