Российская академия наук    
     
   

Общая информация
Общие сведения
Историческая справка
Направления деятельности
Прочая информация
Проекты
Публикации


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Пересторонин А.В.

    Страницы:   1   2 


  1.   Мурзин В.Н. ,     Ефимов Ю.А. ,     Чижевский Е.Г. ,     Карузский А.Л. ,     Цховребов А.М. ,     Пересторонин А.В. ,     Расулова Г.К. ,     Белоушкин А.А. ,     Игнатьев А.С.
    Генерация в двухбарьерной резонансно-туннельной структуре, стабилизированная микрополосковым резонатором. Физ. и техн. полупровод. , Т.32,N1 , с. C.124-127 , 01.1998

  2.   Багаев В.С. ,     Зайцев В.В. ,     Онищенко Е.Е. ,     Квит А.В. ,     Медведев С.А. ,     Клевков Ю.В. ,     Цикунов А.В. ,     Пересторонин А.В. ,     Клоков А.В. ,     Якимов М.Я.
    Оптическая спектроскопия глубоких состояний в ZnTe. Физ. тверд. тела , Т.40,N6 , с. C.1010-1017 , 01.1998

  3.   Мокеров В.Г. ,     Карузский А.Л. ,     Пересторонин А.В. ,     Кульбачинский В.А. ,     Кытин В.Г. ,     Лунин Р.А. ,     Сеничкин А.П. ,     Бугаев А.С. ,     Р.Т.Ф. ван Шайк ,     де Виссер А.
    Транспортные и оптические свойства дельта-легированных оловом GaAs структур. Физ. и техн. полупровод. , Т.33,N7 , с. C.839-846 , 01.1999

  4.   Багаев В.С. ,     Плотников А.Ф. ,     Квит А.В. ,     Медведев С.А. ,     Клевков Ю.В. ,     Пересторонин А.В.
    Динамика измерения спектров фотолюминесценции образцов CdTe стехиометрического состава в зависимости от чистоты исходных компонентов. Физ. и техн. полупровод. , Т.34,N1 , с. C.19-22 , 01.2000

  5.   Карузский А.Л. ,     Горелик В.С. ,     Пересторонин А.В. ,     Свербиль П.П.
    Комбинационное рассеяние света на фононах и поляритонах в ниобате и танталате лития. Изв. АН СССР. Сер.физ. , Т.64,N6 , с. C.1132-1136 , 01.2000

  6.   Багаев В.С. ,     Плотников А.Ф. ,     Квит А.В. ,     Медведев С.А. ,     Клевков Ю.В. ,     Пересторонин А.В.
    Динамика изменения спектров фотолюминесценции образцов стехиометрического состава в зависимости от чистоты исходных компонентов. Физ. и техн. полупровод. , Т.34,N1 , с. С.19-22 , 01.2000



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007