Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
New far infrared resonance absorption and emission of germanium at low temperature and optical generation of carriers
Vavilov V.S.
,
Murzin V.N.
,
Zayats V.A.
X-th Intern. Conf. on Physics of Semiconductors. Proc. 17-21 Aug.1970. Cambridge, Massachusetts / Ed.S.P.Keller, J.C.Hensel, F.Stern.
, с. P.509-516
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007