Кратк. сообщ. по физ. , 01.1994    Включает:   Мурзин В.Н. ,     Карузский А.Л. ,     Квит А.В. ,     Пересторонин А.В. Влияние туннелирования неравновесных носителей заряда на спектры фотолюминесценции в асимметричных структурах с квантовыми ямами , 01.1994   Мурзин В.Н. ,     Митягин Ю.А. ,     Стоклицкий С.А. ,     Кадушкин В.И. Резонансное туннелирование и эффекты бистабильности в сверхрешетках на основе GaAs/AlGaAs с широкими квантовыми ямами , 01.1994 Copyright © БЕН РАН.