Российская академия наук    
     
   

Общая информация


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Radiative recombination. Simpos. 7-th Intern. Conf. on Physics of Semiconductors, Paris, 1964




 

 Включает:

  1.   Shotov A.P. ,     Berozashvili Y.N. ,     Keldysh L.V. ,     Vul B.M. ,     Zavaritskaya E.I. ,     Bagaev V.S. About the energy spectrum of the heavily doped GaAs (Об энергетическом спектре сильно легированного арсенида галлия) / Ed.Dunod




Copyright © БЕН РАН.



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007