Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
About the energy spectrum of the heavily doped GaAs (Об энергетическом спектре сильно легированного арсенида галлия) / Ed.Dunod
Shotov A.P.
,
Berozashvili Y.N.
,
Keldysh L.V.
,
Vul B.M.
,
Zavaritskaya E.I.
,
Bagaev V.S.
Radiative recombination. Simpos. 7-th Intern. Conf. on Physics of Semiconductors, Paris, 1964
, с. P.149-154
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007