Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Физ. и техн. полупровод.,Т.7,N10
Физ. и техн. полупровод.
, 01.1972
Включает:
Чуенков В.А.
,
Банная В.Ф.
,
Веселова Л.И.
,
Гершензон Е.М.
Влияние компенсации примесей на электрический пробой в n-Ge
, 01.1972
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007