Влияние компенсации примесей на электрический пробой в n-Ge...


	Общая информация

Поиск атрибутный

Влияние компенсации примесей на электрический пробой в n-Ge

Чуенков В.А. , Банная В.Ф. , Веселова Л.И. , Гершензон Е.М.

Физ. и техн. полупровод. , Т.7,N10 , 01.1972 , с. C.1972-1977

Copyright © БЕН РАН.

Последние изменения: 26.01.2004

119991 Москва, Ленинский просп., 14 Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)	На главную страницу
	В начало страницы
	© РАН 2007