Страницы:   1   2    Багаев В.С. ,     Падучих Л.И. ,     Хакимов Р.Г. Кинетика фотолюминесценции GeS. III Республиканский коллоквиум по модуляционной спектроскопии полупроводников и диэлектриков Тр. , с. С.169-174   Багаев В.С. ,     Падучих Л.И. ,     Астемиров Т.А. Кинетика фотолюминесценции экситонов и электронно-дырочных капель в Ge. Модуляционная спектроскопия полупроводников и диэлектриков. 2 Республиканский коллоквиум, Сухуми: Тезисы , с. С.45-51   Багаев В.С. ,     Падучих Л.И. ,     Стопачинский В.Б. Применение модуляционных методов к изучению ударной ионизации примесных центров и экситонов в GaAs. Модуляционная спектроскопия полупроводников. Труды I коллоквиума , с. С.46-51   Багаев В.С. ,     Падучих Л.И. ,     Плотников А.Ф. Исследование взаимодействия экситонов при больших плотностях в Si. Экситоны в полупроводниках / Под ред. Б.М.Вула , с. С.50-53   Багаев В.С. ,     Падучих Л.И. ,     Сахоненко Т.С. Люминесценция нелегированного GaAs при высоких уровнях фотовозбуждения. Экситоны в полупроводниках / Под ред. Б.М.Вула , с. С.54-67   Багаев В.С. ,     Падучих Л.И. Фотолюминесценция нелегированных кристаллов арсенида галлия. Физ. тверд. тела , Т.11,N11 , с. C.3304-3307 , 01.1969   Багаев В.С. ,     Падучих Л.И. Определение энергии связи свободных экситонов в кремнии по температурной зависимости спектров фотолюминесценции. Физ. тверд. тела , Т.13,N2 , с. C.484-487 , 01.1971   Багаев В.С. ,     Падучих Л.И. ,     Стопачинский В.Б. Низкотемпературная фотолюминесценция GaAs в условиях сильного взаимодействия неравновесных носителей. Письма в ЖЭТФ , Т.15,N9 , с. C.508-512 , 01.1972   Багаев В.С. ,     Падучих Л.И. ,     Поярков А.Г. ,     Астемиров Т.А. Влияние неравновесных фононов на кинетику излучения ЭДК в германии. Кратк. сообщ. по физ. , N11 , с. С.3-9 , 01.1976   Багаев В.С. ,     Падучих Л.И. ,     Поярков А.Г. ,     Астемиров Т.А. Разлет электронно-дырочных капель в Ge. Письма в ЖЭТФ , Т.24,N4 , с. C.225-228 , 01.1976