Страницы:   1   2   3    Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Водопьянов Л.К. Влияние инверсии зон на фононный спектр сплавов PbSnSe. Междунар. конф. по динамике решетки. Труды. Париж. 1977 , с. С.673   Пенин Н.А. ,     Кучеренко И.В. ,     Журкин Б.Г. Влияние одноосного сжатия на прыжковую проводимость в p-Si. Физ. тверд. тела , Т.8,N11 , с. C.3445-3447 , 01.1966   Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Королев Ю.Н. Подвижность носителей тока в кристаллах PbSe в интервале температур 4.2-300 К.. Физ. и техн. полупровод. , Т.5,N5 , с. C.982-984 , 01.1971   Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Королев Ю.Н. ,     Чижевский Е.Г. Электрические свойства кристаллов Pb_1-xSn_xSe, выращенных из паровой фазы. Физ. и техн. полупровод. , Т.6,N8 , с. C.1508-1513 , 01.1972   Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Тактакишвили М.С. Определение эффективной массы дырок в кристаллах PbSnSe из измерений эффекта Нернста-Эттингсгаузена. Физ. и техн. полупровод. , Т.7,N4 , с. C.822-824 , 01.1973   Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Лашкарев Г.В. ,     Шевченко А.Д. Особенности магнитной восприимчивости p-PbSe и p-Pb_0.94Sn_0.06Se. Укр. физ. ж. , Т.19,N7 , с. C.1220-1222 , 01.1974   Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Тактакишвили М.С. Исследование непараболичности валентной зоны и механизма рассеяния в PbSnSe. Физ. и техн. полупровод. , Т.8,N3 , с. C.446-451 , 01.1974   Шотов А.П. ,     Волков Б.А. ,     Кучеренко И.В. ,     Тактакишвили М.С. Структура валентной зоны в кристаллах p-PbSnSe. Физ. и техн. полупровод. , Т.8,N12 , с. C.2346-2349 , 01.1974   Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Тактакишвили М.С. ,     Иванов В.Н. ,     Моисеенко В.Н. Исследование осцилляций Шубникова-де-Гааза в кристаллах PbSnSe. Физ. и техн. полупровод. , Т.9,N4 , с. C.690-696 , 01.1975   Шотов А.П. ,     Волков Б.А. ,     Кучеренко И.В. ,     Моисеенко В.Н. Электрон-фононное взаимодействие в кристаллах Pb_1-xSn_xSe(x=O.O6)p-типа. Физ. и техн. полупровод. , Т.9,N9 , с. C.1824-1826 , 01.1975