Российская академия наук    
     
   

Общая информация
Общие сведения
Историческая справка
Направления деятельности
Прочая информация
Проекты
Публикации


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Персона без имени

    Страницы:   1   2   3 


  1.   Shotov A.P.
    Development of lead-chalcogenide tunable doide lasers for 3 to 40 m spectral region at Lebedev Physical Institute. Monitoring of gaseous pollutants by tunable diode lasers. Intern. sympos. Freiburg, Germany, 17-18 oct. 1991 / Ed.R.Grisar,H.Bottner,M.Tacke,G.Restelli , с. P.125-137

  2.   Shotov A.P.
    Tunable diode lasers for 3 to 40 m infrared spectral region. Joint Soviet-American Workshop on the Physics of Semiconductor Lasers. Leningrad, USSR 1991 / Ed.Zhores I.Alferov , с. P.87-94

  3.   Shotov A.P.
    Development of lead chalcogenide tunable diode lasers for 3- to 40- m spectral region at Lebedev Physical Institute. Tunable diode laser applications. CIS selected papers. / Ed. A.I.Nadezhdinskii, A.M.Prokhorov , с. P.64-77

  4.   Shotov A.P. ,     Zasavitsky I.I. ,     Kurisyn Y.A. ,     Makarov G.N. ,     Sotnikov M.V. ,     Pak I.
    Diode laser spectroscopy of the dynamics of multiphoton exitation of SF_6 molecule by CO_2 laser pulses. , с. P.151-158 , 01.1988

  5.   Shotov A.P. ,     Kutcherenko I.V. ,     Svistov A.E. ,     Itskevich E.S. ,     Kashirskaya L.M. ,     Pankratov O.A.
    Resonant band and compositional disorder in narrow gap semiconductors lead-tin-selenide. 18 th Intern. conf. on the Physics Semiconductor. Proc. Stokholm, 1986 , с. P.1819-1822

  6.   Sobolev N.N. ,     Shotov A.P. ,     Zasavitsky I.I. ,     Ochkin V.N. ,     Savinov S.Y. ,     Demianenko A.V. ,     Spiridonov M.V.
    Determination of rovibrational levels populations of CO_2 molecules in glow discharge using pulsed diode laser spectroscopy. XI Intern. conf. on infrared and millimeter waves ,Pisa, Italy, 1986, Conf.digest , с. P.632-633

  7.   Shotov A.P. ,     Kutcherenko I.V. ,     Svistov A.E.
    Energy levels of native defects in n-Pb_1-xSn_xSe. Physics of Narrow Gap Semiconductors. 4 th Intern. conf. on ... Linz, Austria, Sept. 14-17, 1981. Proc. / Ed.: E.Gornik,H.Heinrich,L.Palmetshofer , с. P.454-457

  8.   Shotov A.P. ,     Zasavitsky I.I. ,     Astakhov V.I. ,     Galaktionov V.V. ,     Kosichkin Y.V. ,     Nadezdinskiy A.I. ,     Khattatov V.U.
    Carbonic oxide content measurements over sounding paths in the ground atmospheric layer with the use of a tuned semiconductor laser. IAMAR Third Scientific Assembly. 17-28 Aug. 1981, Hamburg , с. P.112

  9.   Shotov A.P. ,     Volkov B.A. ,     Kutcherenko I.V. ,     Moiseenko V.N. ,     Vyatkin K.V.
    Phase transition in Pb Sn Se induced by the temperature and pressure.(Фазовый переход в Pb Sn Se индуцированный температурой и давлением). Physics of Semiconductors. 14 th Intern. сonf. Edinburgh. 4-8 Sept. 1978. / Ed.B L H Wilson , с. P.449-452

  10.   Shotov A.P. ,     Zasavitsky I.I. ,     Gureev D.M. ,     Matsonashvili B.N.
    Photoluminescence of Pb_1-xSn_xTe solid solutions in magnetic field. (Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe в магнитном поле). Physics of Narrow Gap Semiconductors. III Intern. conf. Proc. Warszawa, Sept. 12-15, 1977 / Ed.J.Rauluszkiewicz,M.Gorska,E.Kaczmarek , с. P.109-114



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007