Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Королев Ю.Н. ,     Чижевский Е.Г. Электрические свойства кристаллов Pb_1-xSn_xSe, выращенных из паровой фазы. Физ. и техн. полупровод. , Т.6,N8 , с. C.1508-1513 , 01.1972   Шотов А.П. ,     Чижевский Е.Г. ,     Даварашвили О.И. Легирование индием полупроводников с узкой запрещенной зоной. Кратк. сообщ. по физ. , N4 , с. C.14-16 , 01.1976   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Чижевский Е.Г. Перестраиваемый давлением инжекционный лазер непрерывного действия на основе PbSe. Квант. электрон. , Т.5,N3 , с. C.692-694 , 01.1978   Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Чижевский Е.Г. ,     Свистов А.Е. ,     Панкратов О.А. Резонансные состояния вблизи дна зоны проводимости в нелегированных кристаллах Pb_1-xSn_xSe(x=0.2-0.33). Физ. и техн. полупровод. , Т.18,N9 , с. C.1583-1587 , 01.1984   Шотов А.П. ,     Мурзин В.Н. ,     Чижевский Е.Г. ,     Косичкин Ю.В. ,     Свистов А.Е. ,     Мельничук И.М. ,     Брянов Д.И. Магнетосопротивление микроконтактов на основе полупроводников типа А_4В_6. Физ. тверд. тела , Т.34,N11 , с. C.3339-3344 , 01.1992   Шотов А.П. ,     Мурзин В.Н. ,     Чижевский Е.Г. ,     Косичкин Ю.В. ,     Свистов А.Е. ,     Мельничук И.М. ,     Брянов Д.И. Магнетосопротивление микроконтактов металл-полупроводник типа А4В6. Кратк. сообщ. по физ. , N5-6 , с. C.39-42 , 01.1992   Мурзин В.Н. ,     Ефимов Ю.А. ,     Чижевский Е.Г. ,     Карузский А.Л. ,     Цховребов А.М. ,     Пересторонин А.В. ,     Расулова Г.К. ,     Белоушкин А.А. ,     Игнатьев А.С. Генерация в двухбарьерной резонансно-туннельной структуре, стабилизированная микрополосковым резонатором. Физ. и техн. полупровод. , Т.32,N1 , с. C.124-127 , 01.1998