Российская академия наук    
     
   

Общая информация
Общие сведения
Историческая справка
Направления деятельности
Прочая информация
Проекты
Публикации


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Даварашвили О.И.

    Страницы:   1   2   3 


  1.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Даварашвили О.И.
    Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев PbSnSe и PbSnTe. IV Всесоюз.совещ. по полупроводникам с узкой запрещенной зоной и полуметаллам. Труды , с. С.54-57

  2.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Даварашвили О.И.
    Фотолюминесценция полупроводниковых эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe и Pb_1-xSn_xSe. Физ. и техн. полупровод. , Т.9,N10 , с. C.1902-1908 , 01.1975

  3.   Шотов А.П. ,     Чижевский Е.Г. ,     Даварашвили О.И.
    Легирование индием полупроводников с узкой запрещенной зоной. Кратк. сообщ. по физ. , N4 , с. C.14-16 , 01.1976

  4.   Шотов А.П. ,     Даварашвили О.И. ,     Бабушкин А.В.
    Фотопроводность полупроводниковых слоев Pb_1-xSn_xSe и Pb_1-xSn_xTe, легированных йодом. Кратк. сообщ. по физ. , N4 , с. С.17-20 , 01.1976

  5.   Шотов А.П. ,     Даварашвили О.И.
    Эпитаксиальные слои Pb_1-xSn_xTe и Pb_1-xSn_xSe. Изв. АН СССР. Неорган. материалы , Т.13,N4 , с. C.610-612 , 01.1977

  6.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Даварашвили О.И.
    Гетеролазеры с оптической накачкой на основе четырехкомпонентных твердых растворов Pb_1-xSn_xSe_1-yTe_y c согласованными решетками на гетерогранице. Квант. электрон. , Т.5,N12 , с. C.2630-2633 , 01.1978

  7.   Шотов А.П. ,     Даварашвили О.И. ,     Бабушкин А.В.
    Лазерные гетероструктуры на основе твердых растворов Pb_1-xSn_xSe_1-yTe_y. Письма в ЖТФ , Т.5,N24 , с. C.1488-1492 , 01.1979

  8.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Даварашвили О.И.
    Излучательная рекомбинация в эпитаксиальных слоях Pb_1-xSn_xSe(O<=x"приблизительно"< O.4). Физ. и техн. полупровод. , Т.13,N9 , с. C.1752-1755 , 01.1979

  9.   Шотов А.П. ,     Даварашвили О.И. ,     Адонин А.С. ,     Рябцев Н.Г. ,     Чиковани Р.И.
    Исследование поверхности ликвидус в системе Pb-Sn-Se методом симплексных решеток. Электрон. техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы , N6(116) , с. C.11-15 , 01.1977

  10.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Даварашвили О.И. ,     Елисеев П.Г. ,     Долгинов Л.М.
    Многокомпонентные твердые растворы соединений А~IV В~VI. Квант. электрон. , Т.4,N4 , с. C.904-907 , 01.1977



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007