Российская академия наук    
     
   

Общая информация
Общие сведения
Историческая справка
Направления деятельности
Прочая информация
Проекты
Публикации


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Банная В.Ф.

  1.   Чуенков В.А. ,     Банная В.Ф. ,     Веселова Л.И. ,     Гершензон Е.М.
    Влияние компенсации примесей на электрический пробой в n-Ge. Физ. и техн. полупровод. , Т.7,N10 , с. C.1972-1977 , 01.1972

  2.   Чуенков В.А. ,     Банная В.Ф. ,     Веселова Л.И. ,     Гершензон Е.М.
    Влияние магнитного поля на примесный пробой в чистом германии. Физ. и техн. полупровод. , Т.10,N2 , с. C.338-344 , 01.1976



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007