Чуенков В.А. ,     Банная В.Ф. ,     Веселова Л.И. ,     Гершензон Е.М. Влияние компенсации примесей на электрический пробой в n-Ge. Физ. и техн. полупровод. , Т.7,N10 , с. C.1972-1977 , 01.1972   Чуенков В.А. ,     Банная В.Ф. ,     Веселова Л.И. ,     Гершензон Е.М. Влияние магнитного поля на примесный пробой в чистом германии. Физ. и техн. полупровод. , Т.10,N2 , с. C.338-344 , 01.1976