Виталий Владимирович Кведер родился 3
октября 1949 года в г. Чкалов (до 1938 года и после 1957 года — Оренбург).
В 1972 году окончил Факультет общей и
прикладной физики Московского физико-технического института. Начиная с третьего
курса Физтеха В.В. Кведер трудился в лаборатории академика П.Л. Капицы в
Институте физических проблем — занимался исследованием спиновых волн в
антиферромагнетиках при их параметрическом возбуждении, опубликовал свои первые
две работы в «Письмах в ЖЭТФ», там же выполнил дипломную работу. В этих работах
были найдены первые экспериментальные аргументы в пользу Бозе-конденсацию
магнонов в антиферромагнетиках.
После окончания Физтеха в 1972 году ему предложили
поехать в Черноголовку — в Институт физики твердого тела АН СССР в лабораторию к
академику Ю.А. Осипьяну. С тех пор его жизнь, в основном, была связана с этим
Институтом: стажер-исследователь, научный сотрудник, старший научный сотрудник,
ведущий научный сотрудник, с 1989 года — зав. Лабораторией спектроскопии
дефектных структур, в 1992-2002 гг. — зам. директора по научной работе, в 2002-2017
гг. — директор, с 2017 — научный руководитель ИФТТ РАН и главный научный
сотрудник.
При этом В.В. Кведер неоднократно работал
во многих научных центрах за границей: 1980г. — Goettingen University (prof.W.Schroeter), 1982г. — Clausthal University (prof. R.Labusch); 1991г. — Lund
University (prof.H.Grimmeiss), 1992-1993 гг.
Visiting professor in Tohoku University (Sendai, Japan);
1993-1994 гг. — продолжение сотрудничества с Lund University (prof.H.Grimmeiss, prof. P.Omling). В период с1995 по
2019 г.г. – тесно сотрудничал с 4м физическим институтом Goettingen University
(Germany).
В 1977 году В.В. Кведер защитил
кандидатскую диссертацию «Исследование дислокаций в кремнии методом ЭПР и
высокочастотной проводимости», в 1987 году защитил докторскую диссертацию
«Спинозависимые электронные свойства дислокаций в кремнии», в 1997 году получил
звание «профессор». Член-корреспондент РАН c 2006 года, академик РАН c 2019 года
— Отделение физических наук РАН.
Несколько раз избирался заместителем
академика-секретаря, с 2022 года — академик-секретарь Отделения физических наук
РАН.
Академик В.В. Кведер — физик-экспериментатор,
специалист мирового класса в области «инженерии дефектов» в полупроводниках, внес
большой вклад в изучение электронных свойств дислокаций и других протяженных
дефектов решётки в полупроводниках, реакций дефектов и процессов
самоорганизации в системах дефектов, процессов диффузии и гетерирования
примесей в полупроводниках, электронных, магнитных и оптических свойства
дислокаций в кремнии. В.В. Кведером обнаружены и исследованы различные
спин-зависящие транспортные эффекты в одномерных электронных зонах на
дислокациях, исследованы особенности оптического поглощения и люминисценции
дислокаций. Он исследовал электрон-дырочную рекомбинацию в кремнии с
дислокациями и разработал количественную модель, имеющую большую практическую
важность для создания технологий солнечных элементов на основе
поликристаллического кремния. Его вклад в развитие «инженерии дефектов» в
кремнии имеет большое практическое значение для современной солнечной
энергетики. Он является одним из признанных в мире лидеров в этой области. Кроме
того, В.В. Кведер сыграл существенную роль в исследовании фуллеренов, где им
был получен ряд пионерских результатов в области электронных, оптические и
магнитные свойства фуллеренов, таких как особенности фазового перехода в
кристаллах С60 связанного с замораживанием вращения молекул и обнаружение
суперпарамагнетизма в кристаллах комплекса С60 с БТХ.
Много лет В.В. Кведер был координатором
программы РАН «Физика новых материалов и структур», координатором секции физики
и наук о космосе Экспертного совета Российского научного фонда (РНФ), Вице-президентом
Международного союза чистой и прикладной физики (Vice-President Elected
at Large,
International Union
of Pure
and Applied
Physics (IUPAP)).
В 2010 году В.В. Кведер входил в
Комиссию РАН по борьбе с лженаукой по проведению экспертизы работ
предпринимателя В.И. Петрика, предложившего ряд технологий (в том числе для
широкого использования населением для очистки воды). В целом ряде случаев
Комиссия не подтвердила утверждения В.И. Петрика, указав на грубые ошибки в их
научном объяснении и обосновании, в других (как предложение об использовании
наноматериалов для фильтров воды) указала не только на бесполезность, но и на
заметную опасность применения этой технологии для здоровья населения.
15 лет В.В. Кведер возглавлял Институт
физики твердого тела РАН (ИФТТ РАН). Физика твердого тела — это очень широкая
область физики, включающая в себя и физику полупроводников, и разработку новых
функциональных материалов, и изучение взаимосвязи структуры кристаллов и их
физических свойств и технологии роста монокристаллов для самых разных
применений. ИФТТ РАН сегодня занимает верхнюю планку в этой области физики. Результаты
работы Института высоко оценены и в России, и за рубежом, это один из лучших
Институтов РАН, где работает около 200 квалифицированных научных сотрудников,
среди которых 56 докторов наук и 6 членов РАН.
При Институте действуют Кафедра физики
твердого тела МФТИ, кафедра физики ВШЭ, работает собственная магистратура и аспирантура.
Выстроена знаменитая «система Физтеха» — когда ученые готовят ученых.
В настоящее время В.В. Кведер — научный
руководитель ИФТТ РАН, Академик-секретарь Отделения физических наук РАН, член
Президиума РАН, член Совета Директоров НЦЧ РАН, председатель Научного совета по
физике конденсированных сред, член бюро Комиссии РАН по золотым медалям и
премиям имени выдающихся учёных, присуждаемым Российской академией наук, и т.д.
Награжден медалью ордена «За заслуги
перед отечеством» II степени.
Отмечен юбилейной медалью «300 лет
Российской академии наук».